霍尼韦尔公司的HT2000系列门阵列（见下表）属高温“晶体管之海”（sea-of-transistor）门阵列，在制作上该系列电子产品采用了霍尼韦尔公司的0.8µm HTMOSTM制造工艺。设计人员可在各种I/O类型(128～336 I/O)，以及适用栅极（40K～390K,未加工)中选择所需产品。所有HT2000系列门阵列产品在设计上都基于霍尼韦尔公司的逻辑元件、门阵列RAM、以及可选用的I/O 焊盘模块的HTMOSTM ASIC集成电路库。
HT2000系列门阵列产品适用于高集成、小尺寸高温应用。
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高温门阵列HT2000系列 |
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产品 |
栅极总数 |
最大封装信号I /O |
最大可供信号I/O |
可用栅极（3层金属层） |
可用栅极 (4层金属层) |
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HT2040 |
40,112 |
128 |
128 |
27,000 |
37,000 |
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HT2080 |
84.512 |
172 |
176 |
52,000 |
72,000 |
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HT2160 |
159,528 |
240 |
240 |
91,000 |
126,000 |
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HT2300 |
295,392 |
320 |
336 |
156,000 |
216,000 |
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HT2400 |
389,120 |
320 |
338 |
200,000 |
275,000 |
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