HTNFET是美国霍尼韦尔公司生产的一种高可靠性的N通道功率场效应晶体管,特别适用于极宽温度范围的各种应用中,如：深井油井、天然气井和地热井井下仪表；航空航天电子、涡轮发动机控制、工业过程控制、核反应堆、电源转换、重型内燃发动机等领域。这种功率场效应晶体管在制造上采用了硅上绝缘体(SOI)工艺技术，可以显著减少高温下的泄漏电流。

HTNFET高温场效应晶体管的输出直流电流可达1安培，一般情况下的输入电压可达60伏，大直流(DC)电流容量结合漏源通态电阻(Rds-ON)，使得这种电子器件能够同时适用于各种直流（DC）和开关应用。一般情况下，HTNFET上的各组成部分可在摄氏零上300℃的温度环境下工作一年，但产品在性能上会有所降低。为避免对婴幼儿的伤亡，HTNFET高温功率场效应管上的“组件”在情况发生时会全部烧毁。此外，为了确保在-55℃～+225°C规定温度范围上的产品性能，霍尼韦尔公司对产品上的每一个“组件”都进行了测试。

霍尼韦尔公司高温场效应晶体管（HTNFET）采取的封装形式主要有：4针Power-Tab封装， 8针陶瓷双列直插式封装(带有集成式散热片)，或尺寸为4.699×2.286mm的模片（die）。

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